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射频微系统 RF 2.0 架构

关键特征

指标

 Body Size(L/W/H)(mm)(without BGA)

 25*25*1.6

 Overall High(mm)

 2.0

 MMIC Max Size(L/W/H)(mm)

 10*10*0.2

 Frequency(GHZ)

 LSCXKuKKa

Gold Wire Size(um)

25

Gold Wire Loop Height(um)

60~80

 RDL层数

 8

 TSV规格(um)

 Cover:30*250

 Interposer30*200

 Min RDL Line/Space(um)

 20/20

 焊接温度

 180~220oC
BGA Size(mm

0.2/0.25/0.3/0.5

 微系统重量(g)

 <3

该系列产品属于射频微系统产品体系,本系列产品由由六层硅转接板堆叠组成,可以集成两层最大厚度0.2mm的芯片。组件与组件之前利用高精度键合机通过BGA球实现堆叠。微系统可以实现更多数量器件的气密性封闭集成。其中功率器件一般集成在微系统下层组件中,微系统可以通过其底部/顶部的BGA球与基板焊接,实现功能引出。


射频微系统 RF 2.0 架构
该系列产品属于射频微系统产品体系,本系列产品由由六层硅转接板堆叠组成,可以集成两层最大厚度0.2mm的芯片。组件与组件之前利用高精度键合机通过BGA球实现堆叠。微系统可以实现更多数量器件的气密性封闭集成。其中功率器件一般集成在微系统下层组件中,微系统可以通过其底部/顶部的BGA球与基板焊接,实现功能引出。
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