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射频微系统 RF 1.0 架构

关键特征

指标

 Body SizeL/W/H)(mm)(without BGA

 25*25*0.5

 Overall Highmm

 0.7

 MMIC Max SizeL/W/H)(mm

10*10*0.1

 FrequencyGHz

 L、S、C、X、Ku、K、Ka

Gold Wire Sizeum

25

Gold Wire Loop Heightum

60~80

RDL层数

3

Min RDL Line/Spaceum

20/20

Min RDL最大电流(mA

400

 BGA Sizemm

 0.2/0.25/0.3/0.5

 焊接温度

 180~220oC

 TSV规格(um

 Cover:60*300

 Interposer30*200

 微系统重量(g

 <1

该系列产品由一张下转接板和一张上盖板组成,芯片以平贴打线的方式集成在下转接板上预先设置的键合金属上,通过金属热压键合将上盖板与之完成气密性焊接,微系统通过锡球实现功能互联引出。微系统最多可以实现3RDL布线。微系统可以通过其底部的BGA与基板进行焊接实现功能引出。



射频微系统 RF 1.0 架构
该系列产品由一张下转接板和一张上盖板组成,芯片以平贴打线的方式集成在下转接板上预先设置的键合金属上,通过金属热压键合将上盖板与之完成气密性焊接,微系统通过锡球实现功能互联引出。微系统最多可以实现3层RDL布线。微系统可以通过其底部的BGA与基板进行焊接实现功能引出。
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