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射频微系统

微系统由一张SINCV2002R下转接板和一张SCV200上盖板组成,芯片以平贴打线的方式集成在键合空腔内,微系统通过锡球实现功能互联引出。微系统最多可以实现3层RDL布线。微系统可以通其底部的BGA与基板进行焊接实现功能引出。


产品示意图





产品展示

  

 

关键特征

指标

Body Size(L/W/H)(mm)(without BGA)

25*25*0.5

Overall High(mm

0.7

MIMC Max Size(L/W/H)(mm)

10*10*0.1

Frequency(GHZ

L、S、C、X、Ku、K、Ka

密封性能 (mbar.l)/s

10-9

Gold Wire Size(um)

25

Gold Wire Loop Height(um)

60~80

RDL层数

3
Min RDL Line/Space(um)

20/20

Min RDL最大电流(mA

400

BGA Size(mm)

0.2/0.25/0.3/0.5

空腔内部金属化

可选

TSV规格(um)

Cover:60*300

Interposer:30*200

微系统重量(g)

<1.5



射频微系统
微系统由一张SINCV2002R下转接板和一张SCV200上盖板组成,芯片以平贴打线的方式集成在键合空腔内,微系统通过锡球实现功能互联引出。微系统最多可以实现3层RDL布线。微系统可以通其底部的BGA与基板进行焊接实现功能引出。
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